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三氟化氮 NF3
產(chǎn)品名稱：三氟化氮 NF3
其他名稱：
分子式：
UN NO：
CAS NO：
產(chǎn)品純度：
包裝說明：
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產(chǎn)品純度：
包裝說明：
訂購熱線：4006-377-517
三氟化氮 NF3
分子式：NF3。
基本性質(zhì):氣體分子量：71.01，熔點：–206.8℃（1atm），沸點：–129℃（1atm），臨界溫度：–39.3℃，臨界壓力：44.02atm（4.46MPa），液體密度：1554 kg/m3（1atm，沸點時），氣體密度：2.95 kg/m3（1atm,21℃），水中溶解度（1atm，22℃）：1.43×10-5當(dāng)量濃度。純凈的NF3氣體是一種無色無味的氣體，當(dāng)混入一定量的雜質(zhì)氣體后顏色發(fā)黃，同時會有發(fā)霉或刺激性氣味。NF3氣體不可燃，但能助燃。當(dāng)溫度超過350℃時，三氟化氮氣體會緩慢分解，分解時產(chǎn)生強氧化性氟，因此，在高溫下它是一種強氧化劑。
CAS No.：7783-54-2。
UN UN.：2451
危險性類別：第2.3類有毒氣體，在空氣中的最高允許含量為29mg/m3。
產(chǎn)品純度: 99.99%~99.995%
產(chǎn)品包裝:47L專用鋼瓶,22kg/瓶;40L專用鋼瓶,20kg/瓶;8L專用鋼瓶,3.4kg/瓶;鋼瓶標(biāo)準(zhǔn)：DOT-3AA, GB5099；閥門：CGA330、CGA640
產(chǎn)品用途:三氟化氮是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分（約25％）可以以激光輻射釋放出，所HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。
注意事項:如遇有NF3氣體泄露，工作人員要馬上撤離泄漏污染區(qū)，并盡可能采取措施阻止NF3氣體的進一步泄露。如有工作人員中毒，應(yīng)立即送往醫(yī)院救治。泄露現(xiàn)場要盡快處理，處理泄露現(xiàn)場的工作人員必須配戴必要的防毒面具，最好是自給正壓式呼吸器。泄露現(xiàn)場經(jīng)檢測無危害氣體后方可進入工作人員，泄露容器必須經(jīng)仔細檢查、維修或妥善處理好后方可繼續(xù)使用。NF3氣瓶應(yīng)儲存于陰涼、通風(fēng)倉庫內(nèi)，倉庫溫度不宜超過30℃。NF3氣瓶應(yīng)遠離火種、熱源、防止陽光直射，與還原劑、易燃或可燃物等分開存放。NF3氣瓶在搬運時要輕裝、輕卸，防止鋼瓶及附件破損。NF3氣瓶的運輸按危險品運輸。運輸時用氣瓶固定架將NF3氣瓶固定好，用汽車公路運輸或用輪船集裝箱運輸。
基本性質(zhì):氣體分子量：71.01，熔點：–206.8℃（1atm），沸點：–129℃（1atm），臨界溫度：–39.3℃，臨界壓力：44.02atm（4.46MPa），液體密度：1554 kg/m3（1atm，沸點時），氣體密度：2.95 kg/m3（1atm,21℃），水中溶解度（1atm，22℃）：1.43×10-5當(dāng)量濃度。純凈的NF3氣體是一種無色無味的氣體，當(dāng)混入一定量的雜質(zhì)氣體后顏色發(fā)黃，同時會有發(fā)霉或刺激性氣味。NF3氣體不可燃，但能助燃。當(dāng)溫度超過350℃時，三氟化氮氣體會緩慢分解，分解時產(chǎn)生強氧化性氟，因此，在高溫下它是一種強氧化劑。
CAS No.：7783-54-2。
UN UN.：2451
危險性類別：第2.3類有毒氣體，在空氣中的最高允許含量為29mg/m3。
產(chǎn)品純度: 99.99%~99.995%
產(chǎn)品包裝:47L專用鋼瓶,22kg/瓶;40L專用鋼瓶,20kg/瓶;8L專用鋼瓶,3.4kg/瓶;鋼瓶標(biāo)準(zhǔn)：DOT-3AA, GB5099；閥門：CGA330、CGA640
產(chǎn)品用途:三氟化氮是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分（約25％）可以以激光輻射釋放出，所HF-OF激光器是化學(xué)激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。
注意事項:如遇有NF3氣體泄露，工作人員要馬上撤離泄漏污染區(qū)，并盡可能采取措施阻止NF3氣體的進一步泄露。如有工作人員中毒，應(yīng)立即送往醫(yī)院救治。泄露現(xiàn)場要盡快處理，處理泄露現(xiàn)場的工作人員必須配戴必要的防毒面具，最好是自給正壓式呼吸器。泄露現(xiàn)場經(jīng)檢測無危害氣體后方可進入工作人員，泄露容器必須經(jīng)仔細檢查、維修或妥善處理好后方可繼續(xù)使用。NF3氣瓶應(yīng)儲存于陰涼、通風(fēng)倉庫內(nèi)，倉庫溫度不宜超過30℃。NF3氣瓶應(yīng)遠離火種、熱源、防止陽光直射，與還原劑、易燃或可燃物等分開存放。NF3氣瓶在搬運時要輕裝、輕卸，防止鋼瓶及附件破損。NF3氣瓶的運輸按危險品運輸。運輸時用氣瓶固定架將NF3氣瓶固定好，用汽車公路運輸或用輪船集裝箱運輸。
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